IXFV12N120P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFV12N120P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
Specifiche:	IXFV12N120P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6841 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6841 pcs

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Specifiche di IXFV12N120P

Modello di prodotti	IXFV12N120P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6841 pcs	Scheda dati	IXFV12N120P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	6.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PLUS220
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	543W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3, Short Tab	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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