IXTA08N120P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTA08N120P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
Specifiche:	IXTA08N120P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	33133 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33133 pcs

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Specifiche di IXTA08N120P

Modello di prodotti	IXTA08N120P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	33133 pcs	Scheda dati	IXTA08N120P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263 (IXTA)
Serie	Polar™	Rds On (max) a Id, Vgs	25 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	333pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 800mA (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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