IXTA260N055T2

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTA260N055T2
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH
Specifiche:	IXTA260N055T2.pdf
Condizione di scorta	25588 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25588 pcs

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Specifiche di IXTA260N055T2

Modello di prodotti	IXTA260N055T2	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	25588 pcs	Scheda dati	IXTA260N055T2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263
Serie	TrenchT2™	Rds On (max) a Id, Vgs	3.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	480W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10800pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	55V
Descrizione dettagliata	N-Channel 55V 260A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	260A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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