IXTA3N100D2HV

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTA3N100D2HV
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH
Specifiche:	IXTA3N100D2HV.pdf
Condizione di scorta	26268 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26268 pcs

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Specifiche di IXTA3N100D2HV

Modello di prodotti	IXTA3N100D2HV	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	26268 pcs	Scheda dati	IXTA3N100D2HV.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263HV
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6 Ohm @ 1.5A, 0V
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	37.5nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tj)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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