IXTD2N60P-1J

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTD2N60P-1J
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5055 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5055 pcs

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Specifiche di IXTD2N60P-1J

Modello di prodotti	IXTD2N60P-1J	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 600	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5055 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	Die
Serie	PolarHV™	Rds On (max) a Id, Vgs	5.1 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)	Contenitore / involucro	Die
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount Die	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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