IXTP4N80P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTP4N80P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
Specifiche:	IXTP4N80P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	58179 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58179 pcs

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Specifiche di IXTP4N80P

Modello di prodotti	IXTP4N80P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	58179 pcs	Scheda dati	IXTP4N80P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	PolarHV™	Rds On (max) a Id, Vgs	3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14.2nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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