IXTU01N100D

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTU01N100D
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Specifiche:	IXTU01N100D.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	77270 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 77270 pcs

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Specifiche di IXTU01N100D

Modello di prodotti	IXTU01N100D	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	77270 pcs	Scheda dati	IXTU01N100D.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-251
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	80 Ohm @ 50mA, 0V
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 25W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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