IXDI602SIA

IXYS Integrated Circuits Division

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXDI602SIA
Costruttore / Marca:	IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Specifiche:	IXDI602SIA.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	68427 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68427 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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25 pcs: $0.393

100 pcs: $0.344

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Specifiche di IXDI602SIA

Modello di prodotti	IXDI602SIA	fabbricante	IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione	MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	68427 pcs	Scheda dati	IXDI602SIA.pdf
Tensione di alimentazione -	4.5 V ~ 35 V	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Tempo di salita / scadenza (Typ)	7.5ns, 6.5ns
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	CLA354 IXDI602SIA-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso	2	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Tensione logica - VIL, VIH	0.8V, 3V
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo di ingresso	Inverting
Tipo di porta	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	Configurazione guidata	Low-Side
Descrizione dettagliata	Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC	Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)	2A, 2A
Base-Emitter Tensione di saturazione (max)	Independent

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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