IXDN602SI

IXYS Integrated Circuits Division

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXDN602SI
Costruttore / Marca:	IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Specifiche:	IXDN602SI.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	40631 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40631 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $0.752

10 pcs: $0.679

25 pcs: $0.606

100 pcs: $0.545

300 pcs: $0.485

500 pcs: $0.424

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Specifiche di IXDN602SI

Modello di prodotti	IXDN602SI	fabbricante	IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione	MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	40631 pcs	Scheda dati	IXDN602SI.pdf
Tensione di alimentazione -	4.5 V ~ 35 V	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC-EP
Serie	-	Tempo di salita / scadenza (Typ)	7.5ns, 6.5ns
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Altri nomi	CLA352 IXDN602SI-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso	2	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Tensione logica - VIL, VIH	0.8V, 3V
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo di ingresso	Non-Inverting
Tipo di porta	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	Configurazione guidata	Low-Side
Descrizione dettagliata	Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP	Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)	2A, 2A
Base-Emitter Tensione di saturazione (max)	Independent

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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