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BSC093N04LSGATMA1

Infineon TechnologiesInfineon Technologies
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: BSC093N04LSGATMA1
Costruttore / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Specifiche: BSC093N04LSGATMA1.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 342387 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 342387 pcs
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Specifiche di BSC093N04LSGATMA1

Modello di prodotti BSC093N04LSGATMA1 fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 342387 pcs Scheda dati BSC093N04LSGATMA1.pdf
Tensione - Prova 1900pF @ 20V Tensione - Ripartizione PG-TDSON-8
Vgs (th) (max) a Id 9.3 mOhm @ 40A, 10V Vgs (Max) 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Serie OptiMOS™
Stato RoHS Tape & Reel (TR) Rds On (max) a Id, Vgs 13A (Ta), 49A (Tc)
Polarizzazione 8-PowerTDFN Altri nomi BSC093N04LS G
BSC093N04LS G-ND
BSC093N04LS GTR
BSC093N04LS GTR-ND
BSC093N04LSG
SP000387929
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited) codice articolo del costruttore BSC093N04LSGATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24nC @ 10V Tipo IGBT ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2V @ 14µA Caratteristica FET N-Channel
Descrizione espansione N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Tensione drain-source (Vdss) -
Descrizione MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40V
rapporto di capacità 2.5W (Ta), 35W (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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