IRF6602

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6602
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Specifiche:	IRF6602.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3967 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3967 pcs

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Specifiche di IRF6602

Modello di prodotti	IRF6602	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3967 pcs	Scheda dati	IRF6602.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MQ
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	13 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric MQ	Altri nomi	IRF6602TR
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1420pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 11A (Ta), 48A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 48A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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