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Infineon Technologies
| Modello di prodotti | IRF6610TR1 | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 3705 pcs | Scheda dati | IRF6610TR1.pdf |
| Tensione - Prova | 1520pF @ 10V | Tensione - Ripartizione | DIRECTFET™ SQ |
| Vgs (th) (max) a Id | 6.8 mOhm @ 15A, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | HEXFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 15A (Ta), 66A (Tc) | Polarizzazione | DirectFET™ Isometric SQ |
| Altri nomi | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore | IRF6610TR1 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17nC @ 4.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.55V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
| rapporto di capacità | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
