IRF6633ATR1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6633ATR1PBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Specifiche:	IRF6633ATR1PBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4637 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4637 pcs

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Specifiche di IRF6633ATR1PBF

Modello di prodotti	IRF6633ATR1PBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4637 pcs	Scheda dati	IRF6633ATR1PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MU
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	5.6 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric MU	Altri nomi	IRF6633ATR1PBFTR SP001528328
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1410pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 16A (Ta), 69A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MU	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Ta), 69A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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