IRF8707GPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF8707GPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Specifiche:	IRF8707GPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5865 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5865 pcs

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Specifiche di IRF8707GPBF

Modello di prodotti	IRF8707GPBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5865 pcs	Scheda dati	IRF8707GPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.35V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	11.9 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	SP001575436
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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