IRF8910GPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF8910GPBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
Specifiche:	IRF8910GPBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3025 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3025 pcs

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Specifiche di IRF8910GPBF

Modello di prodotti	IRF8910GPBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3025 pcs	Scheda dati	IRF8910GPBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.55V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	SP001570668
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A	Numero di parte base	IRF8910GPBF

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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