Infineon Technologies| Modello di prodotti | IRFH5304TRPBF | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 238118 pcs | Scheda dati | IRFH5304TRPBF.pdf |
| Tensione - Prova | 2360pF @ 10V | Tensione - Ripartizione | PQFN (5x6) |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5 mOhm @ 47A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | HEXFET® |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 22A (Ta), 79A (Tc) |
| Polarizzazione | 8-PowerVDFN | Altri nomi | IRFH5304TRPBF-ND IRFH5304TRPBFTR SP001564156 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | IRFH5304TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 41nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.35V @ 50µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| rapporto di capacità | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
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