IRFHS8342TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRFHS8342TR2PBF
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Specifiche:	IRFHS8342TR2PBF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4878 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4878 pcs

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Specifiche di IRFHS8342TR2PBF

Modello di prodotti	IRFHS8342TR2PBF	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4878 pcs	Scheda dati	IRFHS8342TR2PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.35V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-PQFN (2x2)
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	16 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-PowerVDFN	Altri nomi	IRFHS8342TR2PBFCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta), 19A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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