SPB80N10L

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SPB80N10L
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Specifiche:	SPB80N10L.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5871 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5871 pcs

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Specifiche di SPB80N10L

Modello di prodotti	SPB80N10L	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5871 pcs	Scheda dati	SPB80N10L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 2mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Serie	SIPMOS®	Rds On (max) a Id, Vgs	14 mOhm @ 58A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	SP000014350 SPB80N10LT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4540pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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