International Rectifier (Infineon Technologies)| Modello di prodotti | SPP11N60C3XKSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 27661 pcs | Scheda dati | SPP11N60C3XKSA1.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | Altri nomi | SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N60C3BKSA1 SPP11N60C3IN SPP11N60C3IN-ND SPP11N60C3X SPP11N60C3XIN SPP11N60C3XIN-ND SPP11N60C3XK |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
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