DTA115EEBTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTA115EEBTL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Specifiche:	1.DTA115EEBTL.pdf 2.DTA115EEBTL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2476504 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2476504 pcs

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Specifiche di DTA115EEBTL

Modello di prodotti	DTA115EEBTL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2476504 pcs	Scheda dati	1.DTA115EEBTL.pdf 2.DTA115EEBTL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	EMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	100 kOhms
Resistor - Base (R1)	100 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SC-75, SOT-416
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	82 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	20mA
Numero di parte base	DTA115

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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