DTB114ECHZGT116

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTB114ECHZGT116
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
Specifiche:	1.DTB114ECHZGT116.pdf 2.DTB114ECHZGT116.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	307733 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 307733 pcs

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Specifiche di DTB114ECHZGT116

Modello di prodotti	DTB114ECHZGT116	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	307733 pcs	Scheda dati	1.DTB114ECHZGT116.pdf 2.DTB114ECHZGT116.pdf
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA	Tipo transistor	PNP - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore	SST3	Serie	Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms	Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Potenza - Max	200mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	DTB114ECHZGT116CT
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	200MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	-	Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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