DTB123YUT106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTB123YUT106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Specifiche:	1.DTB123YUT106.pdf 2.DTB123YUT106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	184540 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 184540 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $0.204

10 pcs: $0.147

25 pcs: $0.115

100 pcs: $0.087

250 pcs: $0.061

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Specifiche di DTB123YUT106

Modello di prodotti	DTB123YUT106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	184540 pcs	Scheda dati	1.DTB123YUT106.pdf 2.DTB123YUT106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	200mW
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323
Altri nomi	DTB123YUT106DKR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	200MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA	Numero di parte base	DTB123

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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