DTB543EETL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTB543EETL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Specifiche:	1.DTB543EETL.pdf 2.DTB543EETL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1025767 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1025767 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di DTB543EETL

Modello di prodotti	DTB543EETL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1025767 pcs	Scheda dati	1.DTB543EETL.pdf 2.DTB543EETL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	12V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	EMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SC-75, SOT-416
Altri nomi	DTB543EETL-ND DTB543EETLTR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	260MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	115 @ 100mA, 2V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA	Numero di parte base	DTB543

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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