DTC115GUAT106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTC115GUAT106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Specifiche:	1.DTC115GUAT106.pdf 2.DTC115GUAT106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	436457 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 436457 pcs

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Specifiche di DTC115GUAT106

Modello di prodotti	DTC115GUAT106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	436457 pcs	Scheda dati	1.DTC115GUAT106.pdf 2.DTC115GUAT106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	100 kOhms
Potenza - Max	200mW	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	DTC115GUAT106DKR
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	82 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	DTC115

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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