EM6M2T2R

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EM6M2T2R
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Specifiche:	1.EM6M2T2R.pdf 2.EM6M2T2R.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	147857 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 147857 pcs

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Specifiche di EM6M2T2R

Modello di prodotti	EM6M2T2R	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	147857 pcs	Scheda dati	1.EM6M2T2R.pdf 2.EM6M2T2R.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	EMT6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1 Ohm @ 200mA, 4V
Potenza - Max	150mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666	Altri nomi	EM6M2T2RCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA	Numero di parte base	*M2

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Post-Vendita
Specifiche

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