EMD3T2R

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EMD3T2R
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Specifiche:	1.EMD3T2R.pdf 2.EMD3T2R.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	909229 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 909229 pcs

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Specifiche di EMD3T2R

Modello di prodotti	EMD3T2R	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	909229 pcs	Scheda dati	1.EMD3T2R.pdf 2.EMD3T2R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	EMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	EMD3T2R-ND EMD3T2RTR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA	Numero di parte base	*MD3

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Post-Vendita
Specifiche

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