EMF22T2R

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EMF22T2R
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Specifiche:	EMF22T2R.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5609 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5609 pcs

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Specifiche di EMF22T2R

Modello di prodotti	EMF22T2R	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5609 pcs	Scheda dati	EMF22T2R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V, 12V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN	Contenitore dispositivo fornitore	EMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz, 320MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA, 500mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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