EMH3T2R

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EMH3T2R
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Specifiche:	1.EMH3T2R.pdf 2.EMH3T2R.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	150434 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150434 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $0.207

10 pcs: $0.145

25 pcs: $0.119

100 pcs: $0.095

250 pcs: $0.069

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Specifiche di EMH3T2R

Modello di prodotti	EMH3T2R	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	150434 pcs	Scheda dati	1.EMH3T2R.pdf 2.EMH3T2R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	EMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	-
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	EMH3T2RCT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	-
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA	Numero di parte base	*MH3

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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