ES6U3T2CR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ES6U3T2CR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Specifiche:	ES6U3T2CR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	411123 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 411123 pcs

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Specifiche di ES6U3T2CR

Modello di prodotti	ES6U3T2CR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	411123 pcs	Scheda dati	ES6U3T2CR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-WEMT
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	240 mOhm @ 1.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666	Altri nomi	ES6U3T2CRTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 1.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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