IMB7AT108

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IMB7AT108
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
Specifiche:	IMB7AT108.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	746728 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 746728 pcs

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Specifiche di IMB7AT108

Modello di prodotti	IMB7AT108	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	746728 pcs	Scheda dati	IMB7AT108.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-457
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	-
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-457
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-457	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	-	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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