IMH3AT110

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IMH3AT110
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Specifiche:	1.IMH3AT110.pdf 2.IMH3AT110.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	152489 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 152489 pcs

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Specifiche di IMH3AT110

Modello di prodotti	IMH3AT110	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	152489 pcs	Scheda dati	1.IMH3AT110.pdf 2.IMH3AT110.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	SMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	-
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SC-74, SOT-457
Altri nomi	IMH3AT110CT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA	Numero di parte base	*MH3

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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