QS8M12TCR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	QS8M12TCR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Specifiche:	QS8M12TCR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	247670 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 247670 pcs

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Specifiche di QS8M12TCR

Modello di prodotti	QS8M12TCR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	247670 pcs	Scheda dati	QS8M12TCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	42 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max	1.5W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	QS8M12TCRTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 5V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A	Numero di parte base	*M12

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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