R5207ANDTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R5207ANDTL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Specifiche:	R5207ANDTL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	87893 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 87893 pcs

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Specifiche di R5207ANDTL

Modello di prodotti	R5207ANDTL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	87893 pcs	Scheda dati	R5207ANDTL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	CPT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	525V	Descrizione dettagliata	N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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