R6020ANZC8

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R6020ANZC8
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Specifiche:	R6020ANZC8.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	21733 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21733 pcs

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1 pcs: $1.559

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Specifiche di R6020ANZC8

Modello di prodotti	R6020ANZC8	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	21733 pcs	Scheda dati	R6020ANZC8.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.15V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PF
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	220 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-3P-3 Full Pack	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 20A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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