RAQ045P01TCR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RAQ045P01TCR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Specifiche:	RAQ045P01TCR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6787 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6787 pcs

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Specifiche di RAQ045P01TCR

Modello di prodotti	RAQ045P01TCR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6787 pcs	Scheda dati	RAQ045P01TCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	-8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	600mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	RAQ045P01TCRCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 6V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	12V
Descrizione dettagliata	P-Channel 12V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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