RD3T100CNTL1

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RD3T100CNTL1
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	NCH 200V 10A POWER MOSFET
Specifiche:	RD3T100CNTL1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	119997 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 119997 pcs

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Specifiche di RD3T100CNTL1

Modello di prodotti	RD3T100CNTL1	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	NCH 200V 10A POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	119997 pcs	Scheda dati	RD3T100CNTL1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.25V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	182 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	85W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	RD3T100CNTL1TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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