RDN150N20FU6

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RDN150N20FU6
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Specifiche:	RDN150N20FU6.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	44177 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44177 pcs

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Specifiche di RDN150N20FU6

Modello di prodotti	RDN150N20FU6	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	44177 pcs	Scheda dati	RDN150N20FU6.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FN
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	160 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1224pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 15A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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