RDX100N60FU6

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RDX100N60FU6
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Specifiche:	RDX100N60FU6.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	13561 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13561 pcs

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Specifiche di RDX100N60FU6

Modello di prodotti	RDX100N60FU6	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	13561 pcs	Scheda dati	RDX100N60FU6.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FM
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	650 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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