RJU002N06FRAT106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RJU002N06FRAT106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
Specifiche:	1.RJU002N06FRAT106.pdf 2.RJU002N06FRAT106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	983558 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 983558 pcs

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Specifiche di RJU002N06FRAT106

Modello di prodotti	RJU002N06FRAT106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	983558 pcs	Scheda dati	1.RJU002N06FRAT106.pdf 2.RJU002N06FRAT106.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	RJU002N06FRAT106TR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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