RP1E090RPTR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RP1E090RPTR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Specifiche:	RP1E090RPTR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	56254 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56254 pcs

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Specifiche di RP1E090RPTR

Modello di prodotti	RP1E090RPTR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9A MPT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	56254 pcs	Scheda dati	RP1E090RPTR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	MPT6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	16.9 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-SMD, Flat Leads	Altri nomi	RP1E090RPCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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