RQ1E100XNTR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RQ1E100XNTR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Specifiche:	1.RQ1E100XNTR.pdf 2.RQ1E100XNTR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	236920 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 236920 pcs

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Specifiche di RQ1E100XNTR

Modello di prodotti	RQ1E100XNTR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	236920 pcs	Scheda dati	1.RQ1E100XNTR.pdf 2.RQ1E100XNTR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	10.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	550mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 10A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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