RQ3E080BNTB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RQ3E080BNTB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
Specifiche:	1.RQ3E080BNTB.pdf 2.RQ3E080BNTB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	197524 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 197524 pcs

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Specifiche di RQ3E080BNTB

Modello di prodotti	RQ3E080BNTB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	197524 pcs	Scheda dati	1.RQ3E080BNTB.pdf 2.RQ3E080BNTB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	15.2 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	RQ3E080BNTBCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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