RRL025P03FRATR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RRL025P03FRATR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	PCH -30V -2.5A POWER MOSFET
Specifiche:	1.RRL025P03FRATR.pdf 2.RRL025P03FRATR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	209310 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 209310 pcs

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Specifiche di RRL025P03FRATR

Modello di prodotti	RRL025P03FRATR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	PCH -30V -2.5A POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	209310 pcs	Scheda dati	1.RRL025P03FRATR.pdf 2.RRL025P03FRATR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TUMT6
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-SMD, Flat Leads	Altri nomi	RRL025P03FRACT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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