RS1E200GNTB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RS1E200GNTB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
Specifiche:	RS1E200GNTB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	292496 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 292496 pcs

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Specifiche di RS1E200GNTB

Modello di prodotti	RS1E200GNTB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	292496 pcs	Scheda dati	RS1E200GNTB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-HSOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 25.1W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	RS1E200GNTBTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25.1W (Tc) Surface Mount 8-HSOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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