RSS120N03FU6TB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RSS120N03FU6TB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Specifiche:	RSS120N03FU6TB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2774 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2774 pcs

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Specifiche di RSS120N03FU6TB

Modello di prodotti	RSS120N03FU6TB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2774 pcs	Scheda dati	RSS120N03FU6TB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	10 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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