RSU002N06T106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RSU002N06T106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
Specifiche:	1.RSU002N06T106.pdf 2.RSU002N06T106.pdf 3.RSU002N06T106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1711670 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1711670 pcs

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Specifiche di RSU002N06T106

Modello di prodotti	RSU002N06T106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1711670 pcs	Scheda dati	1.RSU002N06T106.pdf 2.RSU002N06T106.pdf 3.RSU002N06T106.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	RSU002N06T106-ND RSU002N06T106TR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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