RZE002P02TL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RZE002P02TL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
Specifiche:	RZE002P02TL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	174131 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 174131 pcs

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Specifiche di RZE002P02TL

Modello di prodotti	RZE002P02TL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	174131 pcs	Scheda dati	RZE002P02TL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	EMT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SC-75, SOT-416	Altri nomi	RZE002P02TLDKR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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