SCT2H12NYTB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SCT2H12NYTB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Specifiche:	1.SCT2H12NYTB.pdf 2.SCT2H12NYTB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	13709 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13709 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di SCT2H12NYTB

Modello di prodotti	SCT2H12NYTB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	13709 pcs	Scheda dati	1.SCT2H12NYTB.pdf 2.SCT2H12NYTB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 410µA	Vgs (Max)	+22V, -6V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-268
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Dissipazione di potenza (max)	44W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Altri nomi	SCT2H12NYTBCT
temperatura di esercizio	175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	184pF @ 800V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 18V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V	Tensione drain-source (Vdss)	1700V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1700V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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