UMD2NTR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	UMD2NTR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Specifiche:	1.UMD2NTR.pdf 2.UMD2NTR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1111398 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1111398 pcs

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Specifiche di UMD2NTR

Modello di prodotti	UMD2NTR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1111398 pcs	Scheda dati	1.UMD2NTR.pdf 2.UMD2NTR.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	UMT6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	22 kOhms	Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	56 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	*MD2

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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