ZDS020N60TB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ZDS020N60TB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 8SOIC
Specifiche:	ZDS020N60TB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	175786 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 175786 pcs

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Specifiche di ZDS020N60TB

Modello di prodotti	ZDS020N60TB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	175786 pcs	Scheda dati	ZDS020N60TB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 630mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	630mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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